HMA−9500mkU. 54台目修理記録
モジュール検査・製作用            平成26年3月8日到着    平成29年1月31日引取
注意 このAMPはアースラインが浮いています。
    AMPのシャーシにSPの線(アース側)やプリAMPのアースもも接続してはいけません。
    RL−SPのアース線も接続(共通)してもいけません、+−の撚りのあるのも使用出来ません。
    又、DC(directconnection)入力が可能ですが、絶対に使用しないこと=ここ参照
A. 修理前の状況
  • ヤフオクで落とした物ですが、ずいぶん前から使っていなかった2台目のHMA9500mkUを最近使おうと思い、 スイッチを入れてみましたが、音が出なかったので、1分ほどで切りました。
    ひっくり返してみると、たくさんの電解コンデンサーから液が漏れていました。 (工房注、これは接着材です)
    オーバーホール修理を希望。


B. 原因

C. 修理状況

M. 他機種の故障モジュール修理・調整・検査

S. HITACHI Lo−D HMA−9500mkU の仕様(マニアルより)

A. 修理前の状況。 画像をクリックすると、大きく(横幅2050ドット)表示されます。
A11. 点検中 前から見る
A12. 点検中 前右から見る
A13. 点検中 後から見る
A14. 点検中 後左から見る
A15. 点検中 上から見る
A21. 点検中 下から見る、鉛テープが張られている。
A22. 点検中 下前から見る
A23. 点検中 下前左から見る
A24. 点検中 下後から見る
A25. 点検中 下後右から見る
A31. 点検中 下蓋を取り、下から見る
A32. 点検中 R側ドライブ基板、 エポキシ系接着剤(アラルダイト)が多用されている。
                      トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う!
A33. 点検中 L側ドライブ基板、 エポキシ系接着剤(アラルダイト)が多用されている。
                      トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う!
A34. 点検中 電源基板、 エポキシ系接着剤(アラルダイト)が多用されている。
                      トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う!
A35. 点検中 RCA端子基板が曲がって取り付けられている。
A36. 点検中 電源トランスの詰め物を見る、変色も、ヒビ割れも無。
A37. 点検中 電源ケーブルの取り付け部、手抜きの?ぎ配線。
C. 修理状況。 画像をクリックすると、大きく(横幅2050ドット)表示されます。
C11. 修理前 R側ドライブ基板
C112. 修理前 R側ドライブ基板、 エポキシ系接着剤(アラルダイト)が多用されている。
                       トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う!
C113. 修理(清掃)前 R側放熱器裏の埃
C114. 修理(清掃)後 R側放熱器裏
C12. 修理前 R側ドライブ基板裏
C21. 修理前 L側ドライブ基板
C212. 修理前 L側ドライブ基板、 エポキシ系接着剤(アラルダイト)が多用されている。
                      トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う!
C212. 修理(清掃)前 L側放熱器裏の埃
C213. 修理(清掃)後 L側放熱器裏
C22. 修理前 L側ドライブ基板裏
C31. 修理前 R側終段FET(電界トランジスター)
C32. 修理中 R側終段FET(電界トランジスター)、取り付けよう絶縁マイカー
         熱伝導の良い「シリコン製絶縁シート」は比誘電率が、シリコーンオイル=2.60〜2.75、雲母=5〜8と、
         2倍の開きがあり、高域特性に影響が出るので、現在は未採用。
C35. 修理前 L側終段FET(電界トランジスター)
C33. 修理中 L側終段FET(電界トランジスター)、取り付けよう絶縁マイカー
         熱伝導の良い「シリコン製絶縁シート」は比誘電率が、シリコーンオイル=2.60〜2.75、雲母=5〜8と、
         2倍の開きがあり、高域特性に影響が出るので、現在は未採用。
C41. 修理前 RLモジュール、 左右でバージョンが異なる。
C42. 修理前 RLモジュール裏、ここにもエポキシ系接着剤(アラルダイト)が付着している。
                      トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う!。
C43. 修理後 RLモジュール裏。  TR(トランジスター)交換後軽くラッカーを吹きました。
C51. 修理前 電源基板。
C512. 修理前 電源基板、 エポキシ系接着剤(アラルダイト)が多用されている。
                      トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う!
C513. 修理中 電源基板、 交換部品を外した所、エポキシ系接着剤(アラルダイト)が他の部品を破壊する。
C514. 修理中 電源基板、 取り外したλコン。
C515. 修理中 電源基板、 取り外したλコンをチュウブで保護。
C52. 修理前 電源基板裏
C53. 修理中 絶縁シート、 過大電流が流れた痕跡。
C61. 修理前 RCA端子
C62. 修理前 R−SP端子
C63. 修理前 L−SP端子
C64. 修理前 電源ケーブル取り付け部
C65. 修理前 電源ケーブル取り付け部、反対側。
C71. 修理前 R側ドライブ基板へのラッピング線
C72. 修理前 L側ドライブ基板へのラッピング線
C73. 修理前 R側ドライブ基板−電源基板へのラッピング線
C74. 修理前 L側ドライブ基板−電源基板
C81. 終段FET(電界効果トランジスター)は下記の中より選別し、完全シンメトリーとした。
C91. 完成(修理後) L側ドライブ基板。
M. 故障機器のモジュール修理。 画像をクリックすると、大きく(横幅2050ドット)表示されます。
M1. 他の修理品のモジュール検査・修理・調整中。
     +−終段FET(電界効果トランジスター)へのバイアス電圧=+38mV/−38mV、半固定VRを同位置にて、左右同値。
M2. 他の修理品のモジュール検査・修理・調整中その2。
        +−終段FET(電界効果トランジスター)へのバイアス電圧=+383mV/−383mV、半固定VRを同位置にて、左右同値。
M3. 他の修理品のモジュール検査・修理・調整中。
      +−終段FET(電界効果トランジスター)へのバイアス電圧=+60mV/−59mV、半固定VRを同位置にて、左右同値。
            下は終段FET(電界効果トランジスター)のドライブ電流値。
                     9500m54-1h
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